Pure and Applied Chemistry, 2010, Volume 82, No. 11, pp. 2055-2073, References

Pure Appl. Chem., 2010, Vol. 82, No. 11, pp. 2055-2073

http://dx.doi.org/10.1351/PAC-CON-09-12-05

Published online 2010-08-06

Surface effects on optical and electrical properties of ZnO nanostructures

Cheng-Ying Chen, Ming-Wei Chen, Jr-Jian Ke, Chin-An Lin, José R. D. Retamal and Jr-Hau He*

Institute of Photonics and Optoelectronics and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei 10617, Taiwan

References

1. L. E. Greene, M. Law, D. H. Tan, M. Montano, J. Goldberger, G. Somorjai, P. Yang. Nano Lett. 5, 1231 (2005). (http://dx.doi.org/10.1021/nl050788p)
2. E. A. Meulenkamp. J. Phys. Chem. B 102, 5566 (1998). (http://dx.doi.org/10.1021/jp980730h)
3. J. Shi, S. Grutzik, X. Wang. ACS Nano 3, 1594 (2009). (http://dx.doi.org/10.1021/nn900388z)
4. J. Y. Lao, J. G. Wen, Z. F. Ren. Nano Lett. 2, 1287 (2002). (http://dx.doi.org/10.1021/nl025753t)
5. X. Y. Kong, Z. L. Wang. Nano Lett. 3, 1625 (2003). (http://dx.doi.org/10.1021/nl034463p)
6. X. Y. Kong, Z. L. Wang. Appl. Phys. Lett. 84, 975 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1646453)
7. X. Y. Kong, Y. Ding, R. S. Yang, Z. L. Wang. Science 303, 1348 (2004). (http://dx.doi.org/10.1126/science.1092356)
8. J. H. He, C. H. Ho, C. W. Wang, Y. Ding, L. J. Chen, Z. L. Wang. Cryst. Growth Des. 9, 17 (2009). (http://dx.doi.org/10.1021/cg800530n)
9. J. H. He, C. H. Ho. Appl. Phys. Lett. 91, 233105 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2821831)
10. J. H. He, S. T. Ho, T. B. Wu, L. J. Chen, Z. L. Wang. Chem. Phys. Lett. 435, 119 (2007). (http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2006.12.061)
11. S. N. Cha, J. E. Jang, Y. Choi, G. A. J. Amaratunga, G. W. Ho, M. E. Welland, D. G. Hasko, D.‑J. Kang, J. M. Kim. Appl. Phys. Lett. 89, 263102 (2006). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2416249)
12. P.-C. Chang, Z. Fan, C.-J. Chien, D. Ronning, C. Stichtenoth, J. G. Lu. Appl. Phys. Lett. 89, 133113 (2006). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2357013)
13. W.-K. Hong, G. Jo, S.-S. Kwon, S. Song, T. Lee. IEEE Trans. Electron Devices 55, 3020 (2008). (http://dx.doi.org/10.1109/TED.2008.2005156)
14. J. Bao, M. A. Zimmler, F. Capasso. Nano Lett. 6, 1719 (2006). (http://dx.doi.org/10.1021/nl061080t)
15. Z. Fan, J. G. Lu. IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 393 (2006).
16. T.-J. Hsueh, S.-J. Chang, C.-L. Hsu, Y.-R. Lin, I.-C. Chen. Appl. Phys. Lett. 91, 053111 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2757605)
17. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, D. Wang. Nano Lett. 7, 1003 (2007). (http://dx.doi.org/10.1021/nl070111x)
18. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, P. Yang. Adv. Mater. 14, 158 (2002). (http://dx.doi.org/10.1002/1521-4095(20020116)14:2<158::AID-ADMA158>3.0.CO;2-W)
19. Z. Fan, P. Chang, E. C. Walter, C. Lin, H. P. Lee, R. M. Penner, J. G. Lu. Appl. Phys. Lett. 85, 6128 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1841453)
20. S. W. Chan, R. J. Barille, M. Nunzi, K. H. Tam, Y. H. Leung, W. K. Chan, A. B. Djuri?i?. Appl. Phys. B 84, 351 (2006). (http://dx.doi.org/10.1007/s00340-006-2292-0)
21. M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, P. Yang. Nat. Mater. 4, 455 (2005). (http://dx.doi.org/10.1038/nmat1387)
22. C. H. Ku, J. J. Wu. Appl. Phys. Lett. 91, 093117 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2778454)
23. J. H. He, S. Singamaneni, C. H. Ho, Y. H. Lin, M. E. McConney, V. V. Tsukruk. Nanotechnology 20, 065502 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/6/065502)
24. C. Y. Chen, C. A. Lin, J. H. He. Nanotechnology 20, 185605 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/18/185605)
25. J. Suehiro, N. Nakagawa, S.-I. Hidaka, M. Ueda, K. Imasaka, M. Higashihata, T. Okada, M. Hara. Nanotechnology 17, 2567 (2006). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/17/10/021)
26. Q. H. Li, T. Gao, Y. G. Wang, T. H. Wang. Appl. Phys. Lett. 86, 123117 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1883711)
27. I. Shalish, H. Temkin, V. Narayanamurti. Phys. Rev. B 69, 245401 (2004). (http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.69.245401)
28. P. Chang, Z. Fan, W. Tseng, D. Wang, W. Chio, J. Hong, J. G. Lu. Chem. Mater. 16, 5133 (2004). (http://dx.doi.org/10.1021/cm049182c)
29. H. Chik, J. Liang, S. G. Cloutier, N. Kouklin, J. M. Xu. Appl. Phys. Lett. 84, 3376 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1728298)
30. C. H. Liu, W. C. Yiu, F. C. K. Au, J. X. Ding, C. S. Lee, S. T. Lee. Appl. Phys. Lett. 83, 3168 (2003). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1609232)
31. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, T. H. Wang. Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1759071)
32. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, B. P. Gila, S. J. Pearton. Appl. Phys. Lett. 85, 2002 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1792373)
33. M. S. Arnold, P. Avouris, Z. W. Pan, Z. L. Wang. J. Phys. Chem. B 107, 659 (2003). (http://dx.doi.org/10.1021/jp0271054)
34. W. I. Park, J. S. Kim, G.-C. Yi, M. H. Bae, H.-J. Lee. Appl. Phys. Lett. 85, 5052 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1821648)
35. P.-C. Chang, J. G. Lu. IEEE Trans. Electron Devices 55, 2977 (2008). (http://dx.doi.org/10.1109/TED.2008.2005181)
36. S. Ju, K. Lee, M. H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, D. B. Janes. Nanotechnology 18, 155201 (2007). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/18/15/155201)
37. J. Guo, J. Wang, E. Polizzi, S. Datta, M. Lundstrom. IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 329 (2003).
38. Y. C. Yeo. Thin Solid Films 462–463, 34 (2004). (http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.05.039)
39. G. Eranna, B. C. Joshi, D. P. Runthala, R. P. Gupta. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 29, 111 (2004). (http://dx.doi.org/10.1080/10408430490888977)
40. F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma, M. J. Kawasaki. Appl. Phys. 94, 7768 (2003).
41. Y. Yoon, J. Lin, S. J. Pearton, J. Guo. J. Appl. Phys. 101, 024301 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2422747)
42. Z.-M. Liao, K.-J. Liu, J.-M. Zhang, J. Xu, D.-P. Yu. Phys. Lett. A 367, 207 (2007). (http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2007.03.006)
43. F. Jones, F. Léonard, A. A. Talin, N. S. Bell. J. Appl. Phys. 102, 014305 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2751116)
44. E. M. Kaidashev, M. Lorenz, H. Wenckstern, A. Rahm, H. C. Semmelhack, K. H. Han, G. Benndorf, C. Bundrsmann, H. Hochmuth, M. Grundmann. Appl. Phy. Lett. 82, 3901 (2003). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1578694)
45. S. H. Jo, J. Y. Lao, Z. F. Ren, R. A. Farrer, T. Baldacchini, J. T. Fourkas. Appl. Phys. Lett. 83, 4821 (2003). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1631735)
46. K. J. Kang, C. Yoon, D. Y. Jeong, B. M. Moon, S. Kim. Jpn. J. Appl. Phys. 46, 6230 (2007).
47. C. Bekeny, T. Voss, B. Hilker, J. Gutowski, R. Hauschild, H. Kalt, B. Postels, A. Bakin, A. Waag. J. Appl. Phys. 102, 044908 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2773632)
48. G. Jo, W.-K. Hong, J. Maeng, M. Choe, W. Park, T. Lee. Appl. Phys. Lett. 94, 173118 (2009). (http://dx.doi.org/10.1063/1.3127514)
49. A. B. Djurišić, Y. H. Leung. Small 2, 944 (2006). (http://dx.doi.org/10.1002/smll.200600134)
50. R.-C. Wang, C.-P. Liu, J.-L. Huang, S.-J. Chen. Appl. Phys. Lett. 87, 053103 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2005386)
51. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, P. Yang. Angew. Chem., Int. Ed. 42, 3031 (2003). (http://dx.doi.org/10.1002/anie.200351461)
52. H. J. Fan, R. Scholz, F. M. Kolb, M. Zacharias. Appl. Phys. Lett. 85, 4142 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1811774)
53. H. J. Fan, R. Scholz, F. M. Kolb, M. Zacharias, U. Gcsele, F. Heyroth, C. Hempel, T. Eisenschmidt, J. Christen. Appl. Phys. A 79, 1895 (2004). (http://dx.doi.org/10.1007/s00339-004-2933-2)
54. X. Q. Meng, D. Z. Shen, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, Y. M. Lu, L. Dong, Z. Z. Zhang, Y. C. Liu, X. W. Fan. Solid State Commun. 135, 179 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.015)
55. L. Wang, X. Zhang, S. Zhao, G. Zhou, Y. Zhou, J. Qi. Appl. Phys. Lett. 86, 024108 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1851607)
56. H. T. Ng, B. Chen, J. Li, J. Han, M. Meyyappan, J. Wu, S. X. Li, E. E. Haller. Appl. Phys. Lett. 82, 2023 (2003). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1564870)
57. D. Zhao, C. Andreazza, P. Andreazza, J. Ma, Y. Liu, D. Shen. Chem. Phys. Lett. 399, 522 (2004). (http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2004.10.066)
58. L. Huang, S. Wright, S. Yang, D. Shen, B. Gu, Y. Du. J. Phys. Chem. B 108, 19901 (2004). (http://dx.doi.org/10.1021/jp045556d)
59. F. Wen, W. Li, J.-H. Moon, J.-H. Kim. Solid State Commun. 135, 34 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2005.03.066)
60. Q. Yang, K. Tang, J. Zuo, Y. Qian. Appl. Phys. A 79, 1847 (2004).
61. F. Wang, Z. Ye, D. Ma, L. Zhu, F. Zhuge. J. Cryst. Growth 274, 447 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.10.035)
62. S. Choopun, N. Hongsith, S. Tanunchai, T. Chairuangsri, C. Krua-in, S. Singkarat, T. Vilathong, P. Mangkorntong, N. Mangkorntong. J. Cryst. Growth 282, 365 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.05.020)
63. W. Yu, X. Li, X. Gao. Cryst. Growth Des. 5, 151 (2005). (http://dx.doi.org/10.1021/cg049973r)
64. W. Gcpel, U. Lampe. Phys. Rev. B 22, 6447 (1980).
65. S. Hong, T. Joo, W. I. Park, Y. H. Jun, G.-C. Yi. Appl. Phys. Lett. 83, 4157 (2003). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1627472)
66. Y. Gu, I. Kuskovsky, M. Yin, S. O’Brien, G. F. Neumark. Appl. Phys. Lett. 85, 3833 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1811797)
67. T. B. Hur, Y.-H. Hwang, H.-K. Kim. Appl. Phys. Lett. 86, 193113 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1921357)
68. Y.-Y. Peng, T.-E. Hsieh, C.-H. Hsu. Appl. Phys. Lett. 89, 211909 (2006). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2387111)
69. X. Wang, Y. Ding, C. J. Summers, Z. L. Wang. J. Phys. Chem. B 108, 8773 (2004). (http://dx.doi.org/10.1021/jp048482e)
70. J. Han, P. Q. Mantas, A. M. R. Senos. J. Eur. Ceram. Soc. 22, 49 (2002). (http://dx.doi.org/10.1016/S0955-2219(01)00241-2)
71. L. Schmidt-Mende, J. L. MacManus-Driscoll. Mater. Today 10, 40 (2007). (http://dx.doi.org/10.1016/S1369-7021(07)70078-0)
72. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Science 292, 1897 (2001). (http://dx.doi.org/10.1126/science.1060367)
73. Y. Q. Chen, J. Jiang, Z. Y. He, Y. Su, D. Cai, L. Chen. Mater. Lett. 59, 3280 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2005.05.059)
74. S. M. Abrarov, Sh. U. Yuldashev, T. W. Kim, S. B. Lee, Y. H. Kwon, T. W. Kang. Opt. Commun. 250, 111 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.optcom.2005.02.016)
75. X. Liu, X. Wu, H. Cao, R. P. H. Chang. J. Appl. Phys. 95, 3141 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1646440)
76. Z. Chen, N. Wu, Z. Shan, M. Zhao, S. Li, C. B. Jiang, M. K. Chyu, S. X. Mao. Scr. Mater. 52, 63 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.scriptamat.2004.08.024)
77. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai. J. Appl. Phys. 89, 6189 (2001). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1356432)
78. A. van Dijken, E. Meulenkamp, D. Vanmaekelbergh, A. Meijerink. J. Phys. Chem. B 104, 1715 (2000). (http://dx.doi.org/10.1021/jp993327z)
79. A. van Dijken, E. Meulenkamp, D. Vanmaekelbergh, A. Meijerink. J. Lumin. 90, 123 (2000).
80. Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton. J. Appl. Phys. 98, 073502 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2064308)
81. Q. X. Zhao, P. Klason, M. Willander, H. M. Zhong, W. Lu, J. H. Yang. Appl. Phys. Lett. 87, 211912 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2135880)
82. A. B. Djurišić, W. C. H. Choy, V. A. L. Roy, Y. H. Leung, C. Y. Kwong, K. W. Cheah, T. K. Gundu Rao, W. K. Chan, H. F. Lui, C. Surya. Adv. Funct. Mater. 14, 856 (2004). (http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200305082)
83. N. E. Hsu, W. K. Hung, Y. F. Chen. J. Appl. Phys. 96, 4671 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1787905)
84. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, P. Yang. Adv. Mater. 13, 113 (2001). (http://dx.doi.org/10.1002/1521-4095(200101)13:2<113::AID-ADMA113>3.0.CO;2-H)
85. D. Li, Y. H. Leung, A. B. Djurišić, Z. T. Liu, M. H. Xie, S. L. Shi, S. J. Xu, W. K. Chan. Appl. Phys. Lett. 85, 1601 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1786375)
86. C. Hsu, Y. Lin, S. Chang, T. Lin, S. Tsai, I. Chen. Chem. Phys. Lett. 411, 221 (2005). (http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2005.06.038)
87. S. Z. Li, C. L. Gan, H. Cai, C. L. Yuan, J. Guo, P. S. Lee, J. Ma. Appl. Phys. Lett. 90, 263106 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2752020)
88. W. I. Park, J. Yoo, D. W. Kim, G. C. Yi, M. Kim. J. Phys. Chem. B 110, 1516 (2006). (http://dx.doi.org/10.1021/jp054066y)
89. Y. H. Park, Y. H. Shin, S. J. Noh, Y. Kim, S. S. Lee, C. G. Kim, K. S. An, C. Y. Park. Appl. Phys. Lett. 91, 012102 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2753717)
90. J. P. Richters, T. Voss, D. S. Kim, R. Scholz, M. Zacharias. Nanotechnology 19, 305202 (2008). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/30/305202)
91. L. Yu, X.-F. Yu, Y. Qiu, Y. Chen, S. Yang. Chem. Phys. Lett. 465, 272 (2008). (http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2008.10.003)
92. V. V. Travnikov, A. Freiberg, S. F. Savikhin. J. Lumin. 47, 107 (1990). (http://dx.doi.org/10.1016/0022-2313(90)90006-W)
93. T. Voss, L. Wischmeier. J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 228 (2008). (http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.N06)
94. L. Wischmeier, T. Voss, S. Börner, W. Schade. Appl. Phys. A 84, 111 (2006). (http://dx.doi.org/10.1007/s00339-006-3589-x)
95. Y. Yang, B. K. Tay, X. W. Sun, J. Y. Sze, Z. J. Han, J. X. Wang, X. H. Zhang, Y. B. Li, S. Zhang. Appl. Phys. Lett. 91, 071921 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2772668)
96. J. Grabowska, A. Meany, K. K. Nanda, J.-P. Mosnier, M. O. Henry, J.-R. Duclère, E. McGlynn. Phys. Rev. B 71, 115439 (2005). (http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.71.115439)
97. J. Fallert, R. Hauschild, F. Stelzl, A. Urban, M. Wissinger, H. Zhou, C. Klingshim, H. Kalt. J. Appl. Phys. 101, 073506 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2718290)
98. J. H. He, P. H. Chang, C. Y. Chen, K. D. Tsai. Nanotechnology 20, 135701 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/13/135701)
99. K. Keem, H. Kim, G.-T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M.-Y. Sung, S. Kim. Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1756205)
100. C. S. Lao, M. C. Park, Q. Kuang, Y. L. Deng, A. K. Sood, D. L. Polla, Z. L. Wang. J. Am. Chem. Soc. 129, 12096 (2007). (http://dx.doi.org/10.1021/ja075249w)
101. J. H. He, Y. H. Lin, M. E. McConney, V. V. Tsukruk, Z. L. Wang, G. Bao. J. Appl. Phys. 102, 084303 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2798390)
102. D. Lin, H. Wu, W. Zhang, H. Li, W. Pan. Appl. Phys. Lett. 94, 172103 (2009). (http://dx.doi.org/10.1063/1.3126045)
103. J. Zhou, Y. Gu, Y. Hu, W. Mai, P. H. Yeh, G. Bao, A. K. Sood, D. L. Polla, Z. L. Wang. Appl. Phys. Lett. 94, 191103 (2009). (http://dx.doi.org/10.1063/1.3133358)
104. R. K. Joshi, Q. Hu, F. Am, N. Joshi, A. Kumar. J. Phys. Chem. C 113, 16199 (2009). (http://dx.doi.org/10.1021/jp906458b)
105. T. J. Hsueh, Y. W. Chen, S. J. Chang, S. F. Wang, C. L. Hsu, Y. R. Lin, T. S. Lin, I. C. Chen. J. Electrochem. Soc. 154, J393 (2007). (http://dx.doi.org/10.1149/1.2789813)
106. L. Liao, H. B. Lu, J. C. Li, C. Liu, D. J. Fu, Y. L. Liu. Appl. Phys. Lett. 91, 173110 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2800812)
107. J. H. He, C. H. Ho, C. Y. Chen. Nanotechnology 20, 065503 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/6/065503)
108. F. Zhiyong, J. G. Lu. In Sensors, 2005 IEEE, pp. 834–836 (2005).
109. E. Comini, C. Baratto, G. Faglia, M. Ferroni, G. Sberveglieri. J. Phys. D 40, 7255 (2007). (http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/40/23/S08)
110. D. Kohl. In Elsevier Science SA, Lausanne, pp. 158–165 (1990).
111. Q. H. Li, Y. X. Liang, Q. Wan, T. H. Wang. Appl. Phys. Lett. 85, 6389 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1840116)
112. Z. Y. Fan, D. W. Wang, P. C. Chang, W. Y. Tseng, J. G. Lu. Appl. Phys. Lett. 85, 5923 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1836870)
113. C. Y. Lu, S. P. Chang, S. J. Chang, T. J. Hsueh, C. L. Hsu, Y. Z. Chiou, C. Chen. IEEE Sens. J. 9, 485 (2009). (http://dx.doi.org/10.1109/JSEN.2009.2014425)
114. E. Comini, G. Faglia, G. Sberveglieri, Z. W. Pan, Z. L. Wang. Appl. Phys. Lett. 81, 1869 (2002). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1504867)
115. G. Kwak, K. J. Yong. J. Phys. Chem. C 112, 3036 (2008). (http://dx.doi.org/10.1021/jp7103819)
116. L. Liao, H. B. Lu, J. C. Li, H. He, D. F. Wang, D. J. Fu, C. Liu. J. Phys. Chem. C 111, 1900 (2007). (http://dx.doi.org/10.1021/jp065963k)
117. C. C. Li, Z. F. Du, L. M. Li, H. C. Yu, Q. Wan, T. H. Wang. Appl. Phys. Lett. 91, 032101 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2752541)
118. Z. Y. Fan, J. G. Lu. Appl. Phys. Lett. 86, 123510 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1883715)
119. C. C. Li, L. M. Li, Z. F. Du, H. C. Yu, Y. Y. Xiang, Y. Li, Y. Cai, T. H. Wang. Nanotechnology 19, 035501 (2008). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/03/035501)
120. J. B. K. Law, J. T. L. Thong. Nanotechnology 19, 205502 (2008). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/20/205502)
121. T. Y. Wei, P. H. Yeh, S. Y. Lu, Z. L. Wang. J. Am. Chem. Soc. 131, 17690 (2009). (http://dx.doi.org/10.1021/ja907585c)
122. S. J. Chang, T. J. Hsueh, I. C. Chen, B. R. Huang. Nanotechnology 19, 175502 (2008). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/17/175502)
123. E. Wongrat, P. Pimpang, S. Choopun. Appl. Surf. Sci. 256, 968 (2009). (http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.02.046)
124. Y. Zhang, Q. Xiang, J. Q. Xu, P. C. Xu, Q. Y. Pan, F. Li. J. Mater. Chem. 19, 4701 (2009). (http://dx.doi.org/10.1039/b822784e)
125. Y. Zeng, T. Zhang, L. J. Wang, M. H. Kang, H. T. Fan, R. Wang, Y. He. Sens. Actuators, B 140, 73 (2009). (http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2009.03.071)
126. N. Kakati, S. H. Jee, S. H. Kim, H. K. Lee, Y. S. Yoon. Jpn. J. Appl. Phys. 48, 105002 (2009). (http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.48.105002)
127. B. O’Regan, M. Grätzel. Nature 353, 737 (1991). (http://dx.doi.org/10.1038/353737a0)
128. K. Y. Cheung, C. T. Yip, A. B. Djuri?i?, Y. H. Leung, W. K. Chan. Adv. Funct. Mater. 17, 555 (2007). (http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200600508)
129. K. Sayama, H. Suguhara, H. Arakawa. Chem. Mater. 10, 3825 (1998). (http://dx.doi.org/10.1021/cm980111l)
130. M. D. Archer, A. J. Nozik. Nanostructured and Photoelectrochemical Systems for Solar Photon Conversion, World Scientific (2008).
131. E. Galoppini, J. Rochford, H. H. Chen, G. Saraf, T. C. Lu, A. Hagfeldt, G. Boschloo. J. Phys. Chem. B 110, 16159 (2006). (http://dx.doi.org/10.1021/jp062865q)
132. E. A. Meulenkamp. J. Phys. Chem. B 103, 7831 (1999). (http://dx.doi.org/10.1021/jp9914673)
133. D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Cantwell, W. C. Harsch. Solid State Commun. 105, 399 (1998). (http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(97)10145-4)
134. Y. S. Yun, J. Y. Park, H. Oh, J. J. Kim, S. S. Kim. J. Mater. Res. 21, 132 (2006). (http://dx.doi.org/10.1557/jmr.2006.0003)
135. M. Saito, S. Fujihara. Energy Environ. Sci. 1, 280 (2008). (http://dx.doi.org/10.1039/b806096g)
136. Y. Zhang, L. Wu, Y. Liu, E. Xie. J. Phys. D 42, 085105 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/42/8/085105)
137. V. Dhas, S. Muduli, W. Lee, S. H. Han, S. Ogale. Appl. Phys. Lett. 93, 243108 (2008). (http://dx.doi.org/10.1063/1.3049131)
138. K. Keis, J. Lindgren, S. E. Lindquist, A. Hagfeldt. Langmuir 16, 4688 (2000). (http://dx.doi.org/10.1021/la9912702)
139. M. Law, L. E. Greene, A. Radenovic, T. Kuykendall, J. Liphardt, P. Yang. J. Phys. Chem. B 110, 22652 (2006). (http://dx.doi.org/10.1021/jp0648644)
140. M. Wang, C. Huang, Y. Cao, Q. Yu, W. Guo, Q. Huang, Y. Liu, J. Huang, H. Wang, Z. Deng. Appl. Phys. Lett. 94, 263506 (2009). (http://dx.doi.org/10.1063/1.3167811)
141. M. Wang, C. Huang, Y. Cao, Q. Yu, Z. Deng, Y. Liu, Z. Huang, J. Huang, Q. Huang, W. Guo, J. Liang. J. Phys. D 42, 155104 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/42/15/155104)
142. F. A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals, 2^nd ed., North Holland (1974).
143. G. Redmond, D. Fitzmauricem, M. Grätzel. Chem. Mater. 6, 686 (1994). (http://dx.doi.org/10.1021/cm00041a020)
144. A. R. Rao, V. Dutta. Nanotechnology 19, 445712 (2008). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/19/44/445712)
145. Z. L. S. Seow, A. S. W. Wong, V. Thavasi, R. Jose, S. Ramakrishna, G. W. Ho. Nanotechnology 20, 045604 (2009). (http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/20/4/045604)
146. W. Zhang, R. Zhu, X. Liu, B. Liu, S. Ramakrishna. Appl. Phys. Lett. 95, 043304 (2009). (http://dx.doi.org/10.1063/1.3193661)
147. D. I. Suh, S. Y. Lee, T. H. Kim, J. M. Chun, E. K. Suh, O. B. Yang, S. K. Lee. Chem. Phys. Lett. 442, 348 (2007). (http://dx.doi.org/10.1016/j.cplett.2007.05.093)
148. M. S. Akhtar, M. A. Khan, M. S. Jeon, O. B. Yang. Electrochim. Acta 53, 7869 (2008). (http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2008.05.055)
149. Y. F. Hsu, Y. Y. Xi, C. T. Yip, A. B. Djuri?i?, W. K. Chan. J. Appl. Phys. 103, 083114 (2008). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2909907)
150. W. Chen, H. Zhang, I. M. Hsing, S. Yang. Electrochem. Commun. 11, 1057 (2009). (http://dx.doi.org/10.1016/j.elecom.2009.03.013)
151. A. E. Suliman, Y. T. Tang, L. Xu. Solar Energy Mater. Solar Cells 91, 1658 (2007).
152. T. W. Hamann, A. B. F. Martinson, J. W. Elam. Adv. Mater. 20, 1560 (2008). (http://dx.doi.org/10.1002/adma.200702781)
153. Q. Zhang, T. P. Chou, B. Russo, S. A. Jenekhe, G. Cao. Angew. Chem., Int. Ed. 47, 2402 (2008). (http://dx.doi.org/10.1002/anie.200704919)
154. I. D. Kim, J. M. Hong, B. H. Lee, D. Y. Kim, E. K. Jeon, D. K. Choi, D. J. Yang. Appl. Phys. Lett. 91, 163109 (2007). (http://dx.doi.org/10.1063/1.2799581)
155. T. P. Chou, Q. Zhang, G. E. Fryxell, G. Cao. Adv. Mater. 19, 2588 (2007). (http://dx.doi.org/10.1002/adma.200602927)

Pure and Applied Chemistry

Navigation

PAC Archives

RSS Feeds

Highlights

Surface effects on optical and electrical properties of ZnO nanostructures

References

Pure and Applied Chemistry

Navigation

Search PAC

PAC Archives

RSS Feeds

Highlights

Surface effects on optical and electrical properties of ZnO nanostructures

References